新一代电力电子技术能否成奥巴马的“救命稻草”？

本文摘要：1月15日，美国总统奥巴马在北卡罗来纳州立大学高调宣告，以该校为核心创建下一代电力电子技术国家制造业创意研究所(以下全称电力电子技术创意中心)。作为规划中的国家先进设备制造业创意中心之一，以下一代电力电子技术和设备生产为研发对象的国家级制造业创意中心月转入人们的视线。

1月15日，美国总统奥巴马在北卡罗来纳州立大学高调宣告，以该校为核心创建下一代电力电子技术国家制造业创意研究所(以下全称电力电子技术创意中心)。作为规划中的国家先进设备制造业创意中心之一，以下一代电力电子技术和设备生产为研发对象的国家级制造业创意中心月转入人们的视线。　　为大力发展美国制造业，奥巴马于2012年3月声称创立美国制造业创意中心(IMIs)，并在2013年国情咨文中月宣告投资10亿美元创立15个IMIs，除早已创建的一个以3D打印机为研发生产对象的创意中心外，在2013年新建3个;同年7月，奥巴马再度明确提出在未来10年创建45个IMIs。

　　研究对象：宽带隙半导体技术　　电力电子技术是一门将电子技术应用于电力领域的新兴技术，它用于电力电子器件转变和掌控通过网络的电功率，其产品可普遍应用于企业、军队、公共设施和普通消费者。下一代电力电子设备具备体积小、可靠性强劲和节约能源的优点，如目前已应用于LED灯和平板电视中的宽带隙半导体材料等。　　上世纪初以来，硅半导体技术的应用于很大地转变了计算出来、通信和能源等行业，向消费者和经济活动获取了强劲甚至是不可思议的工具。今天，硅基电子在一些关键应用领域早已面对相当大局限，而宽带隙半导体则向人们展现一个新的机遇，即更加小、更加慢、更加低廉和更加高效的电力电子技术将应用于个人电子设备、电动车辆、可再生能源并网、工业级自排传动马达和更加智能、灵活性的电缆网络等。

　　硅在室温下的带隙为1.1电子伏特(eV)，宽带隙半导体是所指在室温下带上隙小于2.0eV的半导体材料。与硅基半导体技术比起，宽带隙半导体不仅能在更高的温度下平稳运营，而且在高压、高频状态下，更加轻巧和可信，能以较较少的电能，取得空前的运营能力。

该技术不仅可以大大增大消费电子设备的体积，而且需要把发电厂显得只有手提箱大小。

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